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Spatially resolved measurements of charge carrier properties in proton doped silicon
Autor
Faccinelli, Martin
Titel
Spatially resolved measurements of charge carrier properties in proton doped silicon
Datei
[5.19 MB]
Erscheinungsjahr
2013
Beschreibung
VI, 98 S.
Beschreibung
Ill., graph. Darst.
Zugriffsrechte