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  • Autor
    • Etzlinger, Lukas
  • TitelSimulation of reaction and diffusion of defects in silicon
  • Volltext
  • Erscheinungsjahr2018
  • Beschreibung72 Blätter
  • BeschreibungIllustrationen, Diagramme
  • ZugriffsrechteAuch auzserhalb des TU-Netzes nutzbar